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中國已成為全球增長速度最快的單晶硅生產和消費國家，單晶硅分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法，其中直拉法硅單晶生長（CZ）產品占總產量的70%-80%。

為滿足集成電路的發展，對硅單晶材料提出了“大尺寸、高品質”的要求。因晶圓直徑越大，芯片成本越低，伴隨著大直徑硅單晶的發展，投料量增加，大熔體嚴重對流成為制約高品質單晶生成的關鍵問題。

在大尺寸單晶硅片制備領域，新型磁控直拉硅單晶技術由于具備無生長條紋、單晶硅二次缺陷少、雜質含量低等優勢，成為目前該領域主流技術。

在單晶硅生長設備中引入高溫超導磁場模塊，抑制熔體中的熱對流、減少固液界面溫度波動、降低氧濃度提高雜質徑向分布均勻性，可以大幅度提高晶體品質。

相較于永磁體、常規電磁體，超導磁體由于其低能耗、磁場強度高、抑制溶體對流水平磁場均勻性好等優點，被公認為適用于單晶硅制備的最佳方案。

用高溫超導材料制作大口徑傳導式磁體，無需消耗液氮，制冷成本低，可以滿足大尺寸（6-12in及以上)、高品質單晶硅生長所需的磁場強度（水平方向0.1T-0.5T）。

低溫超導線材的工作溫度為液氦溫區4.2K附近，超導態溫度區域很窄，易產生失超現象。而高溫超導帶材，只要在液氮溫區77K以下，超導帶材就可顯現超導特性。因此高溫超導磁控硅單晶生長爐磁體工作溫度范圍更廣，對溫度的適應性更強。